晶圆清洗在半导体前端工艺中，晶圆表面残留的金属离子、抛光颗粒（如氧化铈）和有机物需彻底清除。超声波通过高频空化效应（20kHz-1MHz）剥离污染物，清洗后晶圆表面洁净度可达5颗粒（0.3μm）/cm²，满足光刻、沉积等后续工艺要求。例如，多晶硅晶片清洗需结合去离子水与碱液的多级工艺，通过机械臂自动化操作实现均匀清洗。光刻胶残留去除光刻后残留的光刻胶和化学物质会影响后续蚀刻精度。超声波清洗机配合氨水/过氧化氢混合液（SC-1）或臭氧水，可分解并清除纳米级胶质残留，同时避免损伤晶圆表面微结构。某案例显示，采用130kHz高频超声波后，光刻胶去除效率提升40%。封装与测试环节芯片封装过程中产生的焊锡颗粒、油脂需彻底清洁。超声波清洗机通过空化效应渗透至BGA焊球间隙，清除污染物，确保封装可靠性。测试前清洗则能减少信号干扰，提升良率。威固特设备实测表明，封装后芯片的电气性能合格率从92%提升至99.5%。
